Infineon MOSFET IPA086N10N3GXKSA1, VDSS 100 V, ID 45 A, TO-220 FP de 3 pines,, config.
Simple, Tipo de Encapsulado: TO-220FP, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 15,4 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.2V Infineon MOSFET IPA086N10N3GXKSA1, VDSS 100 V, ID 45 A, TO-220 FP de 3 pines,, config.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 37,5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Tensión de diodo directa: 1. Simple.