Infineon MOSFET IRFH5210TRPBF, VDSS 100 V, ID 10 A, PQFN 5 x 6 de 8 pines
Infineon MOSFET IRFH5210TRPBF, VDSS 100 V, ID 10 A, PQFN 5 x 6 de 8 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 14,9 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 104 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Tensión de diodo directa: 1.3V, Altura: 0.9mm.