Toshiba MOSFET TK12P60W,RVQ(S, VDSS 600 V, ID 11,5 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config.
6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C Toshiba MOSFET TK12P60W,RVQ(S, VDSS 600 V, ID 11,5 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config.7V, Disipación de Potencia Máxima: 100 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 6. Simple.Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 340 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.