onsemi MOSFET NVMFD6H840NLT1GOS, VDSS 80 V, ID 74 A, DFN de 8 pines, 2elementos, config.
2V, Disipación de Potencia Máxima: 3,1 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Estándar de automoción: AEC-Q101 onsemi MOSFET NVMFD6H840NLT1GOS, VDSS 80 V, ID 74 A, DFN de 8 pines, 2elementos, config. Doble.Doble, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 8,8 mo, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.