Vishay MOSFET SI1025X-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 135 mA, SC-89-6 de 6 pines, 2elementos, config.
6mm, Longitud: 1.Aislado, Tipo de Encapsulado: SOT-523 (SC-89), Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 8 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 250 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 0.7mm Vishay MOSFET SI1025X-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 135 mA, SC-89-6 de 6 pines, 2elementos, config.