Toshiba MOSFET TK100A06N1,S4X(S, VDSS 60 V, ID 100 A, TO-220SIS de 3 pines,, config.
Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,7 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Disipación de Potencia Máxima: 45 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C Toshiba MOSFET TK100A06N1,S4X(S, VDSS 60 V, ID 100 A, TO-220SIS de 3 pines,, config. Simple.