Vishay MOSFET SIHD2N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 2,9 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config.
Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,9 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 62,5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Número de Elementos por Chip: 1, Tensión de diodo directa: 1. Simple.2V Vishay MOSFET SIHD2N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 2,9 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config.