Nexperia MOSFET BSH111BKR, VDSS 55 V, ID 335 mA, TO-236 de 3 pines,, config.
Simple.3V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 8,1 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.6V, Disipación de Potencia Máxima: 1,45 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 10 V, Longitud: 3mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C Nexperia MOSFET BSH111BKR, VDSS 55 V, ID 335 mA, TO-236 de 3 pines,, config.