Infineon OptiMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 80 A, 3-Pin TO-220
: 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPP057N06N3GXKSA1.: 0,0057 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.Infineon OptiMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 80 A, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.