onsemi MOSFET NVMYS8D0N04CTWGOS, VDSS 40 V, ID 49 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines,, config.
Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 8,1 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 38 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C onsemi MOSFET NVMYS8D0N04CTWGOS, VDSS 40 V, ID 49 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines,, config. Simple.