STMicroelectronics MDmesh M2 STF16N60M2 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 12 A 25 W, 3-Pin TO-220FP
: 320 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.4mm, Länge: 10.: –25 V, +25 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.STMicroelectronics MDmesh M2 STF16N60M2 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 12 A 25 W, 3-Pin TO-220FP, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.