Vishay IRLD110PBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 1 A 1,3 W, 4-Pin HVMDIP
: 540 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.Vishay IRLD110PBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 1 A 1,3 W, 4-Pin HVMDIP, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: -10 V, +10 V, Höhe: 3.