Infineon OptiMOS 3 IPB036N12N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 180 A 300 W, 7-Pin D2PAK-7
: 3,6 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.Infineon OptiMOS 3 IPB036N12N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 180 A 300 W, 7-Pin D2PAK-7, Gehäusegröße: D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: -20 V, +20 V, Höhe: 4.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.