onsemi MOSFET-Gate-Ansteuerung 6,8 A, 7,8 A 5V 16-Pin SOIC 7.9ns
9ns, Anstiegszeit: 9.2ns, Topologie: Gate-Treiber, Ein-/Ausgangsabhängigkeit: Independent, Zeitverzögerung: 75ns, Brücken-Typ: Halbbrücke, Montage-Typ: SMD, Automobilstandard: AEC-Q100, Höhe: 1.onsemi MOSFET-Gate-Ansteuerung 6,8 A, 7,8 A 5V 16-Pin SOIC 7.5mm, MPN: NCV5702DR2G.