Infineon HEXFET IRF2805PBF N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 75 A 330 W, 3-Pin TO-220AB
: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 4,7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.Infineon HEXFET IRF2805PBF N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 75 A 330 W, 3-Pin TO-220AB, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: -20 V, +20 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 16.