Infineon HEXFET IRFB4110GPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 180 A 370 W, 3-Pin TO-220AB
: 4,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.Infineon HEXFET IRFB4110GPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 180 A 370 W, 3-Pin TO-220AB, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.