Toshiba TK TK42A12N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 42 A 35 W, 3-Pin TO-220SIS
: -20 V, +20 V, Höhe: 15mm, Länge: 10mm.: 9,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.Toshiba TK TK42A12N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 42 A 35 W, 3-Pin TO-220SIS, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.