Infineon OptiMOS T2 IPB120N06S402ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 120 A 188 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 2,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.Infineon OptiMOS T2 IPB120N06S402ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 120 A 188 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: -20 V, +20 V, Länge: 10mm, Betriebstemperatur max.