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Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 10 A, 8-Pin SO-8

About The Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 10 A, 8-Pin SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0134 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 10 A, 8-Pin SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0134 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.55V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IRF8910TRPBF

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Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 10 A, 8-Pin SO-8

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Yageo HHV Metallschichtwiderstand, Axial 2MΩ 5% / 1W

Yageo HHV Metallschichtwiderstand, Axial 2MΩ 5% / 1W

Yageo HHV Metallschichtwiderstand, Axial 2MΩ 5% / 1W, MPN: HHV1WSJT-73-2M.

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    • TE Connectivity RN73 Dünnschicht SMD-Widerstand 9.53Ω ±0.1% / 0.1W ±10ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    TE Connectivity RN73 Dünnschicht SMD-Widerstand 9.53Ω ±0.1% / 0.1W ±10ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    53Ω ±0.1W ±10ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: RN73C2A9R53B.

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    Artesyn Embedded Technologies Artesyn LGA80D DC/DC-Wandler 200W 13,8 V IN, 5.2V dc OUT / 80A

    59 → 5.Artesyn Embedded Technologies Artesyn LGA80D DC/DC-Wandler 200W 13,8 V IN, 5.

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    Artesyn Embedded Technologies Artesyn ERM75 DC/DC-Wandler 75W 72 V dc IN, 24V dc OUT / 3.12A 1.5kV dc isoliert

    8mm, Lastausregelung: ±0.Artesyn Embedded Technologies Artesyn ERM75 DC/DC-Wandler 75W 72 V dc IN, 24V dc OUT / 3.

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    Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 35 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

    Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 35 A, 3-Pin DPAK (TO-252), MPN: IRFR540ZTRPBF.

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    55V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IRF8910TRPBF.: 0,0134 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 10 A, 8-Pin SO-8, Drain-Source-Widerstand max.

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