Vishay SI4564DY-T1-GE3 N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 7,2 A; 8 A 3,1 W, 3,2 W, 8-Pin SOIC, Channel-Typ: N, P, Drain-Source-Widerstand max.: 20 mΩ, 28 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.8V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, -16 V, +16 V, +20 V, Höhe: 1.55mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay SI4564DY-T1-GE3 N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 7,2 A; 8 A 3,1 W, 3,2 W, 8-Pin SOIC
Specifications of Vishay SI4564DY-T1-GE3 N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 7,2 A; 8 A 3,1 W, 3,2 W, 8-Pin SOIC | |
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