Vishay SI4599DY-T1-GE3 N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 4,7 A; 6,8 A 3 W, 3,1 W, 8-Pin SOIC, Channel-Typ: N, P, Drain-Source-Widerstand max.: 42,5 mΩ, 62 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Vishay SI4599DY-T1-GE3 N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 4,7 A; 6,8 A 3 W, 3,1 W, 8-Pin SOIC
Specifications of Vishay SI4599DY-T1-GE3 N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 4,7 A; 6,8 A 3 W, 3,1 W, 8-Pin SOIC | |
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