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Semikron IGBT-Transistormodul / 200 A ±15.0V Max. Dual, 1200 V

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Semikron IGBT-Transistormodul / 200 A ±15.0V max. Dual, 1200 V, Konfiguration: Halbbrücke, MPN: SKM200GB12F4

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Semikron IGBT-Transistormodul / 200 A ±15.0V Max. Dual, 1200 V

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Specifications of Semikron IGBT-Transistormodul / 200 A ±15.0V Max. Dual, 1200 V

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