reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Infineon

Infineon HEXFET IRF5801TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 600 MA 2 W, 6-Pin TSOP-6

About The : -30 V, +30 V, Höhe: 0.Infineon HEXFET IRF5801TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 600 mA 2 W, 6-Pin TSOP-6, Drain-Source-Widerstand max

Infineon HEXFET IRF5801TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 600 mA 2 W, 6-Pin TSOP-6, Drain-Source-Widerstand max.: 2,2 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Höhe: 0.9mm

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET IRF5801TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 600 MA 2 W, 6-Pin TSOP-6

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon HEXFET IRF5801TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 600 MA 2 W, 6-Pin TSOP-6

Category
Instockinstock

Last Updated

Infineon HEXFET IRF5801TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 600 MA 2 W, 6-Pin TSOP-6
More Varieties

Rating :- 9.55 /10
Votes :- 9