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Carlo Gavazzi BDB Eingangsmodul Für UWP30RSEXXX + SH2MCG24 Intelligente Dupline

About The Carlo Gavazzi BDB Eingangsmodul für UWP30RSEXXX + SH2MCG24 Intelligente Dupline, Anschluss: Kabel, MPN: BDB-INCON4-U

Carlo Gavazzi BDB Eingangsmodul für UWP30RSEXXX + SH2MCG24 Intelligente Dupline, Anschluss: Kabel, MPN: BDB-INCON4-U

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Specifications of Carlo Gavazzi BDB Eingangsmodul Für UWP30RSEXXX + SH2MCG24 Intelligente Dupline

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WIKA Druckmessgerät Prozessanschluss unten Analog 0bar → 250bar, Ø 100mm G1/2

WIKA Druckmessgerät Prozessanschluss unten Analog 0bar → 250bar, Ø 100mm G1/2

WIKA Druckmessgerät Prozessanschluss unten Analog 0bar → 250bar, Ø 100mm G1/2, Serie: 213.

  • Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge
  • Pneumatik und Hydraulik
  • Pneumatik und Hydraulik Druckanzeigen
  • Druckmessgeräte
  • WIKA
    • EDAC 140 Leiterplatten-Stiftleiste, 3-polig / 1-reihig, Raster 2.0mm

    EDAC 140 Leiterplatten-Stiftleiste, 3-polig / 1-reihig, Raster 2.0mm

    0mm, Montagetyp: Durchsteckmontage, MPN: 140-503-415-001.EDAC 140 Leiterplatten-Stiftleiste, 3-polig / 1-reihig, Raster 2.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Steckverbinder
  • Leiterplatten Steckverbinder & Gehäuse
  • Leiterplatten Header
  • EDAC
    • ROHM Dickschicht SMD-Widerstand ±1% / 0.25W, 0603 (1608M) Gehäuse

    ROHM Dickschicht SMD-Widerstand ±1% / 0.25W, 0603 (1608M) Gehäuse

    25W, 0603 (1608M) Gehäuse, MPN: ESR03EZPF1R10.ROHM Dickschicht SMD-Widerstand ±1% / 0.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Festwiderstände
  • SMD-Widerstände
  • ROHM
    • Nexperia PSMN4R4-80PS,127 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 100 A 306 W, 3-Pin TO-220AB

    Nexperia PSMN4R4-80PS,127 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 100 A 306 W, 3-Pin TO-220AB

    : 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.Nexperia PSMN4R4-80PS,127 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 100 A 306 W, 3-Pin TO-220AB, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • Nexperia
    • Nexperia PSMN4R3-30BL,118 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 103 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    Nexperia PSMN4R3-30BL,118 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 103 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    5mm.3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.Nexperia PSMN4R3-30BL,118 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 103 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 1.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • Nexperia
    • Vishay PR03 Metallschicht Widerstand 33Ω ±5% / 3W

    Vishay PR03 Metallschicht Widerstand 33Ω ±5% / 3W

    Vishay PR03 Metallschicht Widerstand 33Ω ±5% / 3W, Betriebstemperatur max.: -55°C, MPN: PR03000203309JAC00.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Festwiderstände
  • Durchsteckwiderstände
  • Vishay
    • onsemi THT Schottky Diode, 100V / 5A, 2-Pin DO-201AD

    onsemi THT Schottky Diode, 100V / 5A, 2-Pin DO-201AD

    6mm, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 150A, MPN: SB5100.onsemi THT Schottky Diode, 100V / 5A, 2-Pin DO-201AD, Diodenkonfiguration: Einfach, Gleichrichter-Typ: Schottky-Diode, Maximaler Spannungsabfall: 850mV, Durchmesser: 5.

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  • onsemi
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    Carlo Gavazzi BDB Eingangsmodul für UWP30RSEXXX + SH2MCG24 Intelligente Dupline, Anschluss: Kabel, MPN: BDB-INCON4-U.

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    • onsemi THT Schottky Diode, 100V / 5A, 2-Pin DO-201AD

    onsemi THT Schottky Diode, 100V / 5A, 2-Pin DO-201AD

    onsemi THT Schottky Diode, 100V / 5A, 2-Pin DO-201AD, Diodenkonfiguration: Einfach, Gleichrichter-Typ: Schottky-Diode, Maximaler Spannungsabfall: 850mV, Durchmesser: 5.6mm, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 150A, MPN: SB5100.

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