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Vishay TrenchFET SISA04DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

About The 15mm, Betriebstemperatur max.: 1

Vishay TrenchFET SISA04DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8, Drain-Source-Widerstand max.: 3,1 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1.1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +20 V, Länge: 3.15mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Vishay TrenchFET SISA04DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

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Specifications of Vishay TrenchFET SISA04DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

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