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Infineon CoolSiC IMZA65R107M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 20 A, 4-Pin TO-247-4

About The 7V, Transistor-Werkstoff: Silicon.: 5

Infineon CoolSiC IMZA65R107M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 20 A, 4-Pin TO-247-4, Drain-Source-Widerstand max.: 0,142 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5.7V, Transistor-Werkstoff: Silicon

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Infineon CoolSiC IMZA65R107M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 20 A, 4-Pin TO-247-4

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Specifications of Infineon CoolSiC IMZA65R107M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 20 A, 4-Pin TO-247-4

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EPCOS B32652, AEC-Q200D Folienkondensator 47nF 5% / 630V dc, THT Raster 15mm
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    2Ah, Faston F1-Anschluss, 97 x 49 x 57mm, Konstruktion: AGM, Gewicht: 570g, Entwickelt für zyklische Anwendungen: Nein, Eurobat-Klassifizierung: 3 bis 5 Jahre, Betriebstemperaturbereich: -20 → +50°C, MPN: FG20121.Fiamm Abgedichteter Bleiakku, 12V / 1.

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