reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Vishay

Vishay SIS862ADN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 52 A 39 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

About The : ±20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.: 11 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Vishay SIS862ADN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 52 A 39 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8, Drain-Source-Widerstand max.: 11 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.1V

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay SIS862ADN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 52 A 39 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Vishay SIS862ADN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 52 A 39 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

Category
Instockinstock

Last Updated

Vishay SIS862ADN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 52 A 39 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
More Varieties

Rating :- 9.45 /10
Votes :- 5