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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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Vishay SIS415DNT-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 22 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

About The 8mm, Länge: 3.: 0

Vishay SIS415DNT-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 22 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8, Drain-Source-Widerstand max.: 9,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Höhe: 0.8mm, Länge: 3.4mm

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Vishay SIS415DNT-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 22 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

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Specifications of Vishay SIS415DNT-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 22 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

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Vishay SIS415DNT-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 22 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
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Halbleiter
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RS PRO konfektioniertes Sensorkabel 3-adrig, Buchse / offenes Ende, Länge 5m

RS PRO konfektioniertes Sensorkabel 3-adrig, Buchse / offenes Ende, Länge 5m

RS PRO konfektioniertes Sensorkabel 3-adrig, Buchse / offenes Ende, Länge 5m, Serie: CBF, Steckverbinder 1: M8, Anschluss B: Nicht abgeschlossen.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
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    • WIKA 111.10 Druckmessgerät Untere Kabeleinführung Analog 0bar → 10bar, Ø 40mm G 1/8

    WIKA 111.10 Druckmessgerät Untere Kabeleinführung Analog 0bar → 10bar, Ø 40mm G 1/8

    10 Druckmessgerät Untere Kabeleinführung Analog 0bar → 10bar, Ø 40mm G 1/8, Serie: 111.XX, Manometertyp: Skala, MPN: 30812178.WIKA 111.

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    • Vishay SMD Schottky Diode, 20V / 8A, 2-Pin DO-214AB (SMC)

    Vishay SMD Schottky Diode, 20V / 8A, 2-Pin DO-214AB (SMC)

    Vishay SMD Schottky Diode, 20V / 8A, 2-Pin DO-214AB (SMC), Diodenkonfiguration: Einfach, Gleichrichter-Typ: Schottky-Diode, Maximaler Spannungsabfall: 470mV, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 150A, MPN: SL42-E3/57T.

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    • RS PRO Digitales Strommessgerät AC, 92mm x 43.5mm T.

    RS PRO Digitales Strommessgerät AC, 92mm x 43.5mm T.

    68mm, 1 → 5 (Input)A / ±0,5 % + 1 Stelle, Temperatur (min.5mm T. 68mm, 1 → 5 (Input)A / ±0,5 % + 1 Stelle.

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    • Vishay TrenchFET SISS23DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 27 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

    Vishay TrenchFET SISS23DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 27 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

    : 11,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.3mm.

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    Vishay SIS415DNT-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 22 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

    : -12 V, +12 V, Höhe: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.

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    • Bourns SRN6045 Drosselspule, 100 μH 700mA mit Ferrit-Kern, 6045 Gehäuse 6mm / ±20%

    Bourns SRN6045 Drosselspule, 100 μH 700mA mit Ferrit-Kern, 6045 Gehäuse 6mm / ±20%

    : +125°C, Betriebstemperatur min.: -40°C, MPN: SRN6045-101M.5mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.

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    • Vishay SIS415DNT-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 22 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

    Vishay SIS415DNT-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 22 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

    4mm.Vishay SIS415DNT-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 22 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8, Drain-Source-Widerstand max.8mm, Länge: 3.

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  • MOSFET
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    • Bourns SRN6045 Drosselspule, 100 μH 700mA mit Ferrit-Kern, 6045 Gehäuse 6mm / ±20%

    Bourns SRN6045 Drosselspule, 100 μH 700mA mit Ferrit-Kern, 6045 Gehäuse 6mm / ±20%

    5mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 494mΩ, Induktivitätsbauweise: Halbgeschirmt, Betriebstemperatur max.5mm, Abmessungen: 6 x 6 x 4.: -40°C, MPN: SRN6045-101M.

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