Vishay Siliconix TrenchFET SQJ431AEP-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 9,4 A 68 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L, Drain-Source-Widerstand max.: 760 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 5.99mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
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Vishay Siliconix TrenchFET SQJ431AEP-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 9,4 A 68 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L
Specifications of Vishay Siliconix TrenchFET SQJ431AEP-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 9,4 A 68 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L | |
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