reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Vishay Siliconix

Vishay Siliconix TrenchFET SQJ431AEP-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 9,4 A 68 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L

About The 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.Vishay Siliconix TrenchFET SQJ431AEP-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 9,4 A 68 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L, Drain-Source-Widerstand max

Vishay Siliconix TrenchFET SQJ431AEP-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 9,4 A 68 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L, Drain-Source-Widerstand max.: 760 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 5.99mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay Siliconix TrenchFET SQJ431AEP-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 9,4 A 68 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Vishay Siliconix TrenchFET SQJ431AEP-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 9,4 A 68 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L

Category
Instockinstock

Last Updated

Vishay Siliconix TrenchFET SQJ431AEP-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 9,4 A 68 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L
More Varieties

Rating :- 9.2 /10
Votes :- 6