Infineon HEXFET IRF5210STRLPBF P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 38 A 170 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Name: Infineon - Infineon HEXFET IRF5210STRLPBF P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 38 A 170 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand Max.: 60 MΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung Max.: 4V, Gate-Schwellenspannung Min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung Max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur Max.: +150 °C
Brand: Infineon
SKU: CAWX-469202
Price: 15.37 EUR
Availability: InStock

About The 67mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Infineon HEXFET IRF5210STRLPBF P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 38 A 170 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 60 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Specifications of Infineon HEXFET IRF5210STRLPBF P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 38 A 170 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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Last Updated December 28th, 2023 06:15 pm

Infineon HEXFET IRF5210STRLPBF P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 38 A 170 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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