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Vishay Siliconix

Vishay Siliconix TrenchFET Si2319DDS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 3,6 A 1,7 W, 3-Pin SOT-23

About The : ±20 V, Länge: 3.: 100 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Vishay Siliconix TrenchFET Si2319DDS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 3,6 A 1,7 W, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 100 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 3.04mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Vishay Siliconix TrenchFET Si2319DDS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 3,6 A 1,7 W, 3-Pin SOT-23

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Specifications of Vishay Siliconix TrenchFET Si2319DDS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 3,6 A 1,7 W, 3-Pin SOT-23

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