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Vishay SI3476DV-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 4,6 A 3,6 W, 6-Pin SOT-23

About The Vishay SI3476DV-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 4,6 A 3,6 W, 6-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 126 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Vishay SI3476DV-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 4,6 A 3,6 W, 6-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 126 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Höhe: 1mm

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Vishay SI3476DV-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 4,6 A 3,6 W, 6-Pin SOT-23

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Specifications of Vishay SI3476DV-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 4,6 A 3,6 W, 6-Pin SOT-23

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Festo ms 1μm Pneumatik-Filter, manuell, 950l/min, Anschluss G1/4

Festo ms 1μm Pneumatik-Filter, manuell, 950l/min, Anschluss G1/4

Festo ms 1μm Pneumatik-Filter, manuell, 950l/min, Anschluss G1/4, Filtergröße: 1µm, MPN: MS6-LFM-1/4-BRM.

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    • RS PRO Ethernetkabel Cat.6, 30m, Schwarz Patchkabel, A RJ45 U/UTP Stecker, B RJ45, LSZH

    RS PRO Ethernetkabel Cat.6, 30m, Schwarz Patchkabel, A RJ45 U/UTP Stecker, B RJ45, LSZH

    6, 30m, Schwarz Patchkabel, A RJ45 U/UTP Stecker, B RJ45, LSZH, Abgeschlossen/Nicht abgeschlossen: Abgeschlossen, Geschirmt / Ungeschirmt: Ungeschirmt, Anschlussbelegung: Direkt Durchgang, Standards: RoHS-kompatibel.RS PRO Ethernetkabel Cat.

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    • RS PRO Wickel Lastwiderstand 15Ω ±5% / 200W, Alu Gehäuse → +200°C

    RS PRO Wickel Lastwiderstand 15Ω ±5% / 200W, Alu Gehäuse → +200°C

    RS PRO Wickel Lastwiderstand 15Ω ±5% / 200W, Alu Gehäuse → +200°C, Serie: RS200, Gehäuse-Form: Aluminiumgehäuse, Abmessungen: 103.8mm, Gesamtlänge: 103.

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  • Widerstände für Chassismontage
  • RS PRO
    • Nexperia Inverter Schmitt-Trigger Dual 190 ns @ 15 pF, SOT402-1

    Nexperia Inverter Schmitt-Trigger Dual 190 ns @ 15 pF, SOT402-1

    : 7 V, Länge: 5.1mm, Arbeitsspannnung min.

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    • ROHM Dickschicht SMD-Widerstand ±5% / 0.5W, 1206 (3216M) Gehäuse

    ROHM Dickschicht SMD-Widerstand ±5% / 0.5W, 1206 (3216M) Gehäuse

    ROHM Dickschicht SMD-Widerstand ±5% / 0.5W, 1206 (3216M) Gehäuse, MPN: ESR18EZPJ822.

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    • Vishay SI3476DV-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 4,6 A 3,6 W, 6-Pin SOT-23

    Vishay SI3476DV-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 4,6 A 3,6 W, 6-Pin SOT-23

    Vishay SI3476DV-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 4,6 A 3,6 W, 6-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 1.: 126 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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    • ROHM Dickschicht SMD-Widerstand ±5% / 0.5W, 1206 (3216M) Gehäuse

    ROHM Dickschicht SMD-Widerstand ±5% / 0.5W, 1206 (3216M) Gehäuse

    5W, 1206 (3216M) Gehäuse, MPN: ESR18EZPJ822.ROHM Dickschicht SMD-Widerstand ±5% / 0.

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