Vishay SI3476DV-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 4,6 A 3,6 W, 6-Pin SOT-23
2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.Vishay SI3476DV-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 4,6 A 3,6 W, 6-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 3V, Gate-Schwellenspannung min.: 126 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.