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Vishay TrenchFET SI1021R-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 190 A, 3-Pin SC-75

About The : 8 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.Vishay TrenchFET SI1021R-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 190 A, 3-Pin SC-75, Drain-Source-Widerstand max

Vishay TrenchFET SI1021R-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 190 A, 3-Pin SC-75, Drain-Source-Widerstand max.: 8 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V

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Vishay TrenchFET SI1021R-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 190 A, 3-Pin SC-75

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Specifications of Vishay TrenchFET SI1021R-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 190 A, 3-Pin SC-75

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