reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Elektromechanik & Automation und Kabel
Relais und Signalaufbereitung
Relais
Halbleiterrelais
Crouzet

Crouzet GNR DIN-Schienen Halbleiterrelais Mit Nulldurchgang 660 V Ac/dc / 20 A Effektivwert

About The Crouzet GNR DIN-Schienen Halbleiterrelais mit Nulldurchgang 660 V ac/dc / 20 A Effektivwert, Lastspannung min.: 5 mA Effektivwert, MPN: GNR20DCZH-CRZ

Crouzet GNR DIN-Schienen Halbleiterrelais mit Nulldurchgang 660 V ac/dc / 20 A Effektivwert, Lastspannung min.: 48 V ac/dc, Laststrom min.: 5 mA Effektivwert, MPN: GNR20DCZH-CRZ

Elektromechanik & Automation und Kabel > Relais und Signalaufbereitung > Relais > Halbleiterrelais

Crouzet GNR DIN-Schienen Halbleiterrelais Mit Nulldurchgang 660 V Ac/dc / 20 A Effektivwert

Elektromechanik & Automation und Kabel > Relais und Signalaufbereitung > Relais > Halbleiterrelais

Specifications of Crouzet GNR DIN-Schienen Halbleiterrelais Mit Nulldurchgang 660 V Ac/dc / 20 A Effektivwert

Category
Instockinstock

Last Updated

Crouzet GNR DIN-Schienen Halbleiterrelais Mit Nulldurchgang 660 V Ac/dc / 20 A Effektivwert
More Varieties
Elektromechanik & Automation und Kabel
Relais und Signalaufbereitung
Relais

Rating :- 9.18 /10
Votes :- 7
Bourns Servo-Potenziometer 15 Impulse/U Inkrementalgeber, mit 3 mm, 2-bit-Quadratur, Nicht indiziert

Bourns Servo-Potenziometer 15 Impulse/U Inkrementalgeber, mit 3 mm, 2-bit-Quadratur, Nicht indiziert

Bourns Servo-Potenziometer 15 Impulse/U Inkrementalgeber, mit 3 mm, 2-bit-Quadratur, Nicht indiziert, MPN: PER281-P115-N0015.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Drehgeber
  • Mechanische Drehgeber
  • Bourns
    • ROHM RE1C001UN RE1C001UNTCL N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 100 mA 150 mW, 3-Pin SC-75

    ROHM RE1C001UN RE1C001UNTCL N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 100 mA 150 mW, 3-Pin SC-75

    : 1V, Gate-Schwellenspannung min.: 18 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 0.2V, Höhe: 0.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • ROHM
    • ROHM SMD Diode, 100V / 500mA, 2-Pin TUMD2M

    ROHM SMD Diode, 100V / 500mA, 2-Pin TUMD2M

    ROHM SMD Diode, 100V / 500mA, 2-Pin TUMD2M, Diodenkonfiguration: Einfach, Gleichrichter-Typ: Universal, Diode Typ: Rectifier, Maximaler Spannungsabfall: 980mV, Diodentechnologie: Siliziumverbindung, Spitzen-Sperrspannung Erholzeit: 25ns, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 6A, MPN: RF05VAM1STR.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • Schottky-Dioden und Gleichrichter
  • ROHM
    • ROHM SMD Gleichrichter Diode, 400V / 1.5A, 2-Pin SOD-106

    ROHM SMD Gleichrichter Diode, 400V / 1.5A, 2-Pin SOD-106

    5A, 2-Pin SOD-106, Diodenkonfiguration: Einfach, Diode Typ: Siliziumverbindung, Maximaler Spannungsabfall: 1.ROHM SMD Gleichrichter Diode, 400V / 1.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • Schottky-Dioden und Gleichrichter
  • ROHM
    • IXYS HiperFET, Q3-Class IXFX32N80Q3 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 32 A 1 kW, 3-Pin PLUS247

    IXYS HiperFET, Q3-Class IXFX32N80Q3 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 32 A 1 kW, 3-Pin PLUS247

    : +150 °C.13mm, Betriebstemperatur max.: -30 V, +30 V, Länge: 16.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • IXYS
    • ROHM RPI THT Phototransistor Gabel-Lichtschranke, Anstieg 10μs / Fallzeit 10μs, 4-Pin

    ROHM RPI THT Phototransistor Gabel-Lichtschranke, Anstieg 10μs / Fallzeit 10μs, 4-Pin

    2mm, Länge: 8mm, Betriebstemperatur max.: +85°C, Betriebstemperatur min.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Displays und Optoelektronik
  • Optokoppler und Photodetektoren
  • Gabel-Lichtschranken
  • ROHM
    • Crouzet GNR DIN-Schienen Halbleiterrelais mit Nulldurchgang 660 V ac/dc / 20 A Effektivwert

    Crouzet GNR DIN-Schienen Halbleiterrelais mit Nulldurchgang 660 V ac/dc / 20 A Effektivwert

    : 5 mA Effektivwert, MPN: GNR20DCZH-CRZ.: 48 V ac/dc, Laststrom min.Crouzet GNR DIN-Schienen Halbleiterrelais mit Nulldurchgang 660 V ac/dc / 20 A Effektivwert, Lastspannung min.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Relais und Signalaufbereitung
  • Relais
  • Halbleiterrelais
  • Crouzet
    • Infineon HEXFET IRLML6344TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23

    Infineon HEXFET IRLML6344TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23

    Infineon HEXFET IRLML6344TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.02mm.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • Infineon
    • Crouzet GNR DIN-Schienen Halbleiterrelais mit Nulldurchgang 660 V ac/dc / 20 A Effektivwert

    Crouzet GNR DIN-Schienen Halbleiterrelais mit Nulldurchgang 660 V ac/dc / 20 A Effektivwert

    : 5 mA Effektivwert, MPN: GNR20DCZH-CRZ.: 48 V ac/dc, Laststrom min.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Relais und Signalaufbereitung
  • Relais
  • Halbleiterrelais
  • Crouzet
    • Infineon HEXFET IRLML6344TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23

    Infineon HEXFET IRLML6344TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23

    Infineon HEXFET IRLML6344TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.1V, Gate-Schwellenspannung min.: -12 V, +12 V, Höhe: 1.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • Infineon