onsemi NVTFS6H850N NVTFS6H850NTAG N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 68 A 107 W, 8-Pin WDFN, Drain-Source-Widerstand max.: 9,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 3.15mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
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Onsemi NVTFS6H850N NVTFS6H850NTAG N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 68 A 107 W, 8-Pin WDFN
Specifications of Onsemi NVTFS6H850N NVTFS6H850NTAG N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 68 A 107 W, 8-Pin WDFN | |
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