Infineon OptiMOS 2 BSC252N10NSFGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 40 A 78 W, 8-Pin TDSON
About The 1mm.: -20 V, +20 V, Höhe: 1
Infineon OptiMOS 2 BSC252N10NSFGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 40 A 78 W, 8-Pin TDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 25,2 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.1mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS 2 BSC252N10NSFGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 40 A 78 W, 8-Pin TDSON
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Specifications of Infineon OptiMOS 2 BSC252N10NSFGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 40 A 78 W, 8-Pin TDSON | |
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