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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
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IXYS HiperFET, Q3-Class IXFX64N50Q3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 64 A 1 KW, 3-Pin PLUS247

About The 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 85 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

IXYS HiperFET, Q3-Class IXFX64N50Q3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 64 A 1 kW, 3-Pin PLUS247, Drain-Source-Widerstand max.: 85 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 6.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 16.13mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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IXYS HiperFET, Q3-Class IXFX64N50Q3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 64 A 1 KW, 3-Pin PLUS247

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Specifications of IXYS HiperFET, Q3-Class IXFX64N50Q3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 64 A 1 KW, 3-Pin PLUS247

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IXYS HiperFET, Q3-Class IXFX64N50Q3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 64 A 1 KW, 3-Pin PLUS247
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Halbleiter
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RS PRO Einzeladerleitung 1 mm² 30m Weiß Ø 2.7mm 57/0,15 mm Litzen

RS PRO Einzeladerleitung 1 mm² 30m Weiß Ø 2.7mm 57/0,15 mm Litzen

: -40°C, Kabeltyp: Automobiltechnik, Verhalten im Brandfall: Schwer entflammbar, Außenmantelmaterial: PVC.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Kabel und Drähte
  • Einzeladerleitung
  • Schaltdraht
  • RS PRO
    • ROHM ESR10 Dickschicht Widerstand ±1% / 0.4W, 0805 (2012M) Gehäuse

    ROHM ESR10 Dickschicht Widerstand ±1% / 0.4W, 0805 (2012M) Gehäuse

    4W, 0805 (2012M) Gehäuse, MPN: ESR10EZPF82R0.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Festwiderstände
  • SMD-Widerstände
  • ROHM
    • RS PRO O-Ring Nitril, Innen-Ø 0.239Zoll / Außen-Ø 9.63mm, Stärke 0.07Zoll

    RS PRO O-Ring Nitril, Innen-Ø 0.239Zoll / Außen-Ø 9.63mm, Stärke 0.07Zoll

    239Zoll / Außen-Ø 9.07Zoll, Betriebstemperatur (min.RS PRO O-Ring Nitril, Innen-Ø 0.

  • Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge
  • Lager und Dichtungen
  • Dichtungen & Dichtungsmaterial
  • Dichtungen und O-Ringe
  • RS PRO
    • ROHM ESR10 Dickschicht Widerstand ±1% / 0.4W, 0805 (2012M) Gehäuse

    ROHM ESR10 Dickschicht Widerstand ±1% / 0.4W, 0805 (2012M) Gehäuse

    4W, 0805 (2012M) Gehäuse, MPN: ESR10EZPF91R0.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Festwiderstände
  • SMD-Widerstände
  • ROHM
    • Siemens 6AV3688 HMI-Anzeige und Tastenfeld PROFINET SIMATIC 28,8 V 31 x 49 x 155 mm

    Siemens 6AV3688 HMI-Anzeige und Tastenfeld PROFINET SIMATIC 28,8 V 31 x 49 x 155 mm

    : +55°C, Betriebstemperatur min.: 0°C, Breite: 49mm, MPN: 6AV36883AY360AX0.Siemens 6AV3688 HMI-Anzeige und Tastenfeld PROFINET SIMATIC 28,8 V 31 x 49 x 155 mm, Anschluss-Typ: Ethernet, Zulassung für Gefahrenbereiche: ATEX, IP Schutzart: IP20, IP65, Tiefe: 155mm, Set beinhaltet: Nein, Länge: 98mm, Betriebstemperatur max.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Automation
  • SPS & HMIs und Industriecomputer
  • HMI's
  • Siemens
    • Huber+Suhner Multiband-Antenne, Extern, Rundstrahlantenne, Vierkant, N Type Female, Buchse, Stecker mit Leitung, 5 dBi, 8 dBi, 156mm
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  • Antennen
  • Multi-Band Antennen
  • Huber+Suhner
    • IXYS HiperFET, Q3-Class IXFX64N50Q3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 64 A 1 kW, 3-Pin PLUS247

    IXYS HiperFET, Q3-Class IXFX64N50Q3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 64 A 1 kW, 3-Pin PLUS247

    : +150 °C.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.

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  • IXYS
    • ROHM ESR10 Dickschicht Widerstand ±5% / 0.4W, 0805 (2012M) Gehäuse

    ROHM ESR10 Dickschicht Widerstand ±5% / 0.4W, 0805 (2012M) Gehäuse

    4W, 0805 (2012M) Gehäuse, MPN: ESR10EZPJ112.

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    • IXYS HiperFET, Q3-Class IXFX64N50Q3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 64 A 1 kW, 3-Pin PLUS247

    IXYS HiperFET, Q3-Class IXFX64N50Q3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 64 A 1 kW, 3-Pin PLUS247

    5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.IXYS HiperFET, Q3-Class IXFX64N50Q3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 64 A 1 kW, 3-Pin PLUS247, Drain-Source-Widerstand max.: -30 V, +30 V, Länge: 16.13mm, Betriebstemperatur max.

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  • MOSFET
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    • ROHM ESR10 Dickschicht Widerstand ±5% / 0.4W, 0805 (2012M) Gehäuse

    ROHM ESR10 Dickschicht Widerstand ±5% / 0.4W, 0805 (2012M) Gehäuse

    4W, 0805 (2012M) Gehäuse, MPN: ESR10EZPJ112.ROHM ESR10 Dickschicht Widerstand ±5% / 0.

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