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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Passive Bauelemente
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Huber+Suhner

Huber+Suhner Multiband-Antenne, Extern, Rundstrahlantenne, Vierkant, N Type Female, Buchse, Stecker Mit Leitung, 5 DBi, 8 DBi, 156mm

About The 0037.99

Huber+Suhner Multiband-Antenne, Extern, Rundstrahlantenne, Vierkant, N Type Female, Buchse, Stecker mit Leitung, 5 dBi, 8 dBi, 156mm, Mit Leitung: Ja, MPN: 1399.99.0037

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Specifications of Huber+Suhner Multiband-Antenne, Extern, Rundstrahlantenne, Vierkant, N Type Female, Buchse, Stecker Mit Leitung, 5 DBi, 8 DBi, 156mm

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Mitutoyo Oberflächen-Rauheitsmessgeräte Oberflächenrauhigkeitsprüfgeräte 0.5 mm/s, 0.25 mm/s, 0.75 mm/s 0.75mN Diamontspitze
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    • ROHM ESR10 Dickschicht Widerstand ±1% / 0.4W, 0805 (2012M) Gehäuse

    ROHM ESR10 Dickschicht Widerstand ±1% / 0.4W, 0805 (2012M) Gehäuse

    4W, 0805 (2012M) Gehäuse, MPN: ESR10EZPF82R0.ROHM ESR10 Dickschicht Widerstand ±1% / 0.

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    • RS PRO O-Ring Nitril, Innen-Ø 0.239Zoll / Außen-Ø 9.63mm, Stärke 0.07Zoll

    RS PRO O-Ring Nitril, Innen-Ø 0.239Zoll / Außen-Ø 9.63mm, Stärke 0.07Zoll

    RS PRO O-Ring Nitril, Innen-Ø 0.): +90°C.07Zoll, Betriebstemperatur (min.

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    ROHM ESR10 Dickschicht Widerstand ±1% / 0.4W, 0805 (2012M) Gehäuse, MPN: ESR10EZPF91R0.

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    Siemens 6AV3688 HMI-Anzeige und Tastenfeld PROFINET SIMATIC 28,8 V 31 x 49 x 155 mm

    : +55°C, Betriebstemperatur min.Siemens 6AV3688 HMI-Anzeige und Tastenfeld PROFINET SIMATIC 28,8 V 31 x 49 x 155 mm, Anschluss-Typ: Ethernet, Zulassung für Gefahrenbereiche: ATEX, IP Schutzart: IP20, IP65, Tiefe: 155mm, Set beinhaltet: Nein, Länge: 98mm, Betriebstemperatur max.

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    • IXYS HiperFET, Q3-Class IXFX64N50Q3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 64 A 1 kW, 3-Pin PLUS247

    IXYS HiperFET, Q3-Class IXFX64N50Q3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 64 A 1 kW, 3-Pin PLUS247

    5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 85 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.IXYS HiperFET, Q3-Class IXFX64N50Q3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 64 A 1 kW, 3-Pin PLUS247, Drain-Source-Widerstand max.: -30 V, +30 V, Länge: 16.

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    IXYS HiperFET, Q3-Class IXFX64N50Q3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 64 A 1 kW, 3-Pin PLUS247

    : +150 °C.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.

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