Ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR, Sichtbares Licht 12μs, 450nm → 1100nm / 80μA, 3-Pin TO18
About The : 50nA, Empfindlichkeit-Halbwertswinkel: 110 °, Montage Typ: Durchsteckmontage, Abmessungen: 5.: 80µA, Dunkelstrom max
ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR, Sichtbares Licht 12μs, 450nm → 1100nm / 80μA, 3-Pin TO18, Fallzeit typ.: 12µs, Lichtstrom max.: 80µA, Dunkelstrom max.: 50nA, Empfindlichkeit-Halbwertswinkel: 110 °, Montage Typ: Durchsteckmontage, Abmessungen: 5.5 x 5.5 x 3.6mm, Kollektorstrom: 100mA, MPN: BP 103
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Ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR, Sichtbares Licht 12μs, 450nm → 1100nm / 80μA, 3-Pin TO18
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Specifications of Ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR, Sichtbares Licht 12μs, 450nm → 1100nm / 80μA, 3-Pin TO18 | |
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