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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
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Vishay E SiHA690N60E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 2,7 A, 4,3 A., 3-Pin TO-220 FP

About The ., 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max

Vishay E SiHA690N60E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 2,7 A, 4,3 A., 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max.: 0,7 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1

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Vishay E SiHA690N60E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 2,7 A, 4,3 A., 3-Pin TO-220 FP

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Specifications of Vishay E SiHA690N60E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 2,7 A, 4,3 A., 3-Pin TO-220 FP

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Vishay E SiHA690N60E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 2,7 A, 4,3 A., 3-Pin TO-220 FP
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Siemens SIRIUS Überlastrelais 7,5 kW, 11 kW, 15 kW, 690 V ac / 20 A

Siemens SIRIUS Überlastrelais 7,5 kW, 11 kW, 15 kW, 690 V ac / 20 A

Siemens SIRIUS Überlastrelais 7,5 kW, 11 kW, 15 kW, 690 V ac / 20 A, MPN: 3RU2126-4BC1.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
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  • Überlastrelais
  • Siemens
    • AKER 14.3182MHz Quarz, Oberflächenmontage, ±30ppm, 12pF, B.

    AKER 14.3182MHz Quarz, Oberflächenmontage, ±30ppm, 12pF, B.

    3182MHz Quarz, Oberflächenmontage, ±30ppm, 12pF, B.5mm, H.: 85°C, Betriebstemperatur min.5 x 1mm, Reihenwiderstand: 60Ω, Betriebstemperatur max.

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    • Vishay TrenchFET® Gen IV Si4425FDY-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 18,3 A, 8-Pin SO-8

    Vishay TrenchFET® Gen IV Si4425FDY-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 18,3 A, 8-Pin SO-8

    2V.Vishay TrenchFET® Gen IV Si4425FDY-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 18,3 A, 8-Pin SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 2.: 0,016 Ω, 0,0095 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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    • Phoenix Contact UCT-TM 16 YE Kennzeichnungsetikett

    Phoenix Contact UCT-TM 16 YE Kennzeichnungsetikett

    Phoenix Contact UCT-TM 16 YE Kennzeichnungsetikett, MPN: 0829147.

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    • RS PRO NiCd D Akkupack, 10-Zellen D 6V / 8Ah

    RS PRO NiCd D Akkupack, 10-Zellen D 6V / 8Ah

    RS PRO NiCd D Akkupack, 10-Zellen D 6V / 8Ah.

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    Vishay E SiHA690N60E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 2,7 A, 4,3 A., 3-Pin TO-220 FP

    : 5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1., 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max.Vishay E SiHA690N60E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 2,7 A, 4,3 A.

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    • TE Connectivity AMPMODU Buchse Schwarz Steckbrücke 2-polig, Raster 2.54mm, Länge 5.08mm, Oben offen

    TE Connectivity AMPMODU Buchse Schwarz Steckbrücke 2-polig, Raster 2.54mm, Länge 5.08mm, Oben offen

    35mm, Kontaktmaterial: Phosphor Bronze, Kontaktbeschichtung: Nickel verzinnt, Ausrichtung: Gerade, MPN: 2-382811-1.TE Connectivity AMPMODU Buchse Schwarz Steckbrücke 2-polig, Raster 2.08mm, Oben offen, Anzahl der Reihen: 1, Tiefe: 6.

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    Vishay E SiHA690N60E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 2,7 A, 4,3 A., 3-Pin TO-220 FP

    : 0,7 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1., 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max.

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    • TE Connectivity AMPMODU Buchse Schwarz Steckbrücke 2-polig, Raster 2.54mm, Länge 5.08mm, Oben offen

    TE Connectivity AMPMODU Buchse Schwarz Steckbrücke 2-polig, Raster 2.54mm, Länge 5.08mm, Oben offen

    08mm, Oben offen, Anzahl der Reihen: 1, Tiefe: 6.35mm, Kontaktmaterial: Phosphor Bronze, Kontaktbeschichtung: Nickel verzinnt, Ausrichtung: Gerade, MPN: 2-382811-1.54mm, Länge 5.

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