Vishay SQJ208EP-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET / 20 A, 60 A 27 W, 48 W, 6-Pin PowerPAK SO-8L Dual, Drain-Source-Spannung max.: 40 V (Kanal 1), 40 V (Kanal 2), Drain-Source-Widerstand max.: 0,0067 Ω (Kanal 2), 0,016 Ω (Kanal 1), Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.3 (Channel 1) V, 2.4 (Channel 2) V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.3 (Channel 1) V, 1.4 (Channel 2) V, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
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Vishay SQJ208EP-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET / 20 A, 60 A 27 W, 48 W, 6-Pin PowerPAK SO-8L Dual
Specifications of Vishay SQJ208EP-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET / 20 A, 60 A 27 W, 48 W, 6-Pin PowerPAK SO-8L Dual | |
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