Vishay SQJA42EP-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 20 A 27 W, 8-Pin PowerPAK SO-8L, Gehäusegröße: PowerPAK SO-L, Drain-Source-Widerstand max.: 16 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.3V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Automobilstandard: AEC-Q101
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Vishay SQJA42EP-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 20 A 27 W, 8-Pin PowerPAK SO-8L
Specifications of Vishay SQJA42EP-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 20 A 27 W, 8-Pin PowerPAK SO-8L | |
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