Vishay Siliconix TrenchFET SQD40061EL_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 107 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Pinanzahl: 3 + Tab, Drain-Source-Widerstand max.: 10 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V
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Vishay Siliconix TrenchFET SQD40061EL_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 107 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Vishay Siliconix TrenchFET SQD40061EL_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 107 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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