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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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Wurth Elektronik WE-DD Gekoppelte Induktivität, 33 μH, 3.9A, 8.9MHz, 105mΩ, Ferrit ±20%, Gehäuse-Form 1280

About The : +125°C, Geschirmt: Ja, Induktivitätsbauweise: Dual, Tiefe: 12.5 x 8

Wurth Elektronik WE-DD Gekoppelte Induktivität, 33 μH, 3.9A, 8.9MHz, 105mΩ, Ferrit ±20%, Gehäuse-Form 1280, Betriebstemperatur min.: -40°C, Betriebstemperatur max.: +125°C, Geschirmt: Ja, Induktivitätsbauweise: Dual, Tiefe: 12.5mm, Abmessungen: 12.5 x 12.5 x 8.5mm, MPN: 744873330

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Specifications of Wurth Elektronik WE-DD Gekoppelte Induktivität, 33 μH, 3.9A, 8.9MHz, 105mΩ, Ferrit ±20%, Gehäuse-Form 1280

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Wurth Elektronik Würth Abschirmstreifen aus Ni/Cu-Faser mit PU-Schaum, Stärke 2mm, 2mm x 1m

Wurth Elektronik Würth Abschirmstreifen aus Ni/Cu-Faser mit PU-Schaum, Stärke 2mm, 2mm x 1m

Wurth Elektronik Würth Abschirmstreifen aus Ni/Cu-Faser mit PU-Schaum, Stärke 2mm, 2mm x 1m, Material: Metallisierte Faser mit Ni/Cu-Schicht / Polyether-Urethanschaum, Befestigungsart: Klebeband, MPN: 3020202.

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  • Wurth Elektronik
    • Taiwan Semiconductor TSM230N06CP ROG N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 50 A 53 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

    Taiwan Semiconductor TSM230N06CP ROG N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 50 A 53 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

    : +150 °C.5mm, Betriebstemperatur max.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 28 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • Taiwan Semiconductor
    • DeWALT Bimetall Lochsäge, Ø 56mm / Bohrtiefe 44mm

    DeWALT Bimetall Lochsäge, Ø 56mm / Bohrtiefe 44mm

    : Nein, MPN: DT90321-QZ.DeWALT Bimetall Lochsäge, Ø 56mm / Bohrtiefe 44mm, Zentrierbohrer inkl.

  • Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge
  • Elektrowerkzeuge Löten & Schweißen
  • Bohrsätze & Zubehörteile
  • Lochsägen & Kernlochbohrer
  • DeWALT
    • Taiwan Semiconductor TSM60N380CI C0G N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11 A 33 W, 3-Pin ITO-220S

    Taiwan Semiconductor TSM60N380CI C0G N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11 A 33 W, 3-Pin ITO-220S

    : 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.

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  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • Taiwan Semiconductor
    • Maxim Integrated Leitungstransceiver 8-Pin SOIC

    Maxim Integrated Leitungstransceiver 8-Pin SOIC

    : +85 °C, Abmessungen: 5 x 4 x 1.5mm, MPN: MAX3440EESA+.

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  • Schnittstellen
  • Leitungs Schnittstellen-ICs
  • Maxim Integrated
    • RS PRO Käfigmutter M6 13.72mm Stahl Galvanisiert für Tafelstärken von 1.83mm - 2.64mm
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  • Muttern und Unterlegscheiben
  • Käfigmuttern
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    Wurth Elektronik WE-DD Gekoppelte Induktivität, 33 μH, 3.9A, 8.9MHz, 105mΩ, Ferrit ±20%, Gehäuse-Form 1280

    Wurth Elektronik WE-DD Gekoppelte Induktivität, 33 μH, 3.9A, 8.9MHz, 105mΩ, Ferrit ±20%, Gehäuse-Form 1280, Betriebstemperatur min.: -40°C, Betriebstemperatur max.

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    • Murata Power Solutions Murata 1500 Drosselspule, 1 μH, ±20%, 16.2A, Radial / R-DC 2760mΩ, max.
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    • Murata Power Solutions Murata 1500 Drosselspule, 1 μH, ±20%, 16.2A, Radial / R-DC 2760mΩ, max.

    Murata Power Solutions Murata 1500 Drosselspule, 1 μH, ±20%, 16.2A, Radial / R-DC 2760mΩ, max.

    8 (Dia.: 151, MPN: 15102C Murata Power Solutions Murata 1500 Drosselspule, 1 μH, ±20%, 16.18mm, Betriebstemperatur max.

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