Renesas Electronics MOSFET-Gate-Ansteuerung 2,5 A 15V 20-Pin SOIC

25V, Arbeitsspannnung min.

91mm Kohlenstoffstahl Gelenkkopf, Wellen-Ø 4.8kN, Statische Traglast: 7.4kN, Anschluss - Gewindestandard: UNF, Gender: Buchse, MPN: PHSB3.82mm, Traglast bis 2.

Renesas Electronics Intersil, Timer-Typ: Standard, Gehäusegröße: SOIC, Anzahl interner Timer: 1, Pinanzahl: 8, Eingangsfrequenz max.

Wurth Elektronik Quarzoszillator,SPXO, 50MHz, ±50ppm, HCMOS, SMT, MPN: LFSPXO019987Reel.

XP Power Schaltnetzteil, AUS 15V dc / 670mA 10W, EIN 120 → 370 V dc, 85 → 264 V ac Offene Bauform,, Ausgangsspannung: 15V dc, Montagetyp: Gehäusemontage, Länge: 65mm, Breite: 25.

58mm, MPN: SN74HCT08DR Texas Instruments Logikgatter, 4-Elem.5 V, 24 ns @ 4., AND, HCT, 4mA, 14-Pin, SOIC, 2.5 V, Abmessungen: 8.

Renesas Electronics MOSFET-Gate-Ansteuerung 2,5 A 15V 20-Pin SOIC, Topologie: Isolierter Gattertreiber, Anzahl der Treiber: 4, MPN: HIP4081AIBZT.

1 (Dia.2mm, Kollektorstrom: 15mA, Durchmesser: 3.1mm, MPN: SFH 309 FA-4.: 7µs, Lichtstrom max.

Renesas Electronics MOSFET-Gate-Ansteuerung 2,5 A 15V 20-Pin SOIC, Topologie: Isolierter Gattertreiber, Anzahl der Treiber: 4, MPN: HIP4081AIBZT.

ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR 7μs, 880nm → 1120nm / 4500μA, 2-Pin 3mm, Fallzeit typ.: 1 (≤ 50)nA, Empfindlichkeit-Halbwertswinkel: ±12 °, Montage Typ: Durchsteckmontage, Gehäusetyp: 3 mm (T-1), Abmessungen: 3.2mm, Kollektorstrom: 15mA, Durchmesser: 3.1mm, MPN: SFH 309 FA-4.