Infineon SIPMOS SPP80P06PHXKSA1 P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 80 A 340 W, 3-Pin TO-220
About The 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min
Infineon SIPMOS SPP80P06PHXKSA1 P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 80 A 340 W, 3-Pin TO-220, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 23 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.6V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon SIPMOS SPP80P06PHXKSA1 P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 80 A 340 W, 3-Pin TO-220
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Specifications of Infineon SIPMOS SPP80P06PHXKSA1 P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 80 A 340 W, 3-Pin TO-220 | |
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