Vishay Siliconix TrenchFET SQM40022EM_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 150 A 150 W, 7-Pin D2PAK (TO-263), Pinanzahl: 7 + Tab, Drain-Source-Widerstand max.: 3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Automobilstandard: AEC-Q101
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay Siliconix TrenchFET SQM40022EM_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 150 A 150 W, 7-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of Vishay Siliconix TrenchFET SQM40022EM_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 150 A 150 W, 7-Pin D2PAK (TO-263) | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |