Vishay Siliconix TrenchFET SQJ504EP-T1_GE3 N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 30 A 34 W, 34 W, 4-Pin PowerPak SO-8L Dual, Channel-Typ: N, P, Drain-Source-Widerstand max.: 30 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 5.99mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
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Vishay Siliconix TrenchFET SQJ504EP-T1_GE3 N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 30 A 34 W, 34 W, 4-Pin PowerPak SO-8L Dual
Specifications of Vishay Siliconix TrenchFET SQJ504EP-T1_GE3 N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 30 A 34 W, 34 W, 4-Pin PowerPak SO-8L Dual | |
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