Onsemi FDS9431A P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 3,5 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

nVent SCHROFF Interscale M 19 Zoll Rack Gehäuse 2U Grau, 221 mm x 221mm x 88 mm, Abmessungen (Außen): 88 x 221 x 221mm, Belüftet: Ja, Außengehäuse-Material: Stahl, Frontplattenmaterial: Aluminium, MPN: 14825-255.

5mm, MPN: 74AHC1G00W5-7.3mm, Höhe: 5.1 x 1., NAND, AHC, Push-Pull, 8mA, 5-Pin, SOT-25, 2 Schmitt-Trigger-Eingang, Montage-Typ: SMD, Schmitt-Trigger-Eingang: Ja, Arbeitsspannnung max.

Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 47Ω ±1% / 0.: +155°C, MPN: CRCW120647R0FKEAHP.5W ±100ppm/K, 1206 (3216M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.

25 x 1.25mm, Länge: 2mm, Betriebstemperatur max.

25mm, Länge: 2mm, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.TDK, C, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7S, 1μF ±10% / 100V dc, Gehäuse 0805 (2012M), Kapazität: 1µF, Spannung: 100V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Abmessungen: 2 x 1.: -55°C, MPN: C2012X7S2A105K125AB.

: –5 V, Abmessungen: 2.: –50 V, Basis-Emitter Spannung max.

onsemi FDS9431A P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 3,5 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 130 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Höhe: 1.

ROHM SMD Schottky Diode, 25V / 700mA, 3-Pin SOT-323, Diodenkonfiguration: Einfach, Gleichrichter-Typ: Schottky-Diode, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: RB461FMFHT106.

: –8 V, +8 V, Höhe: 1.5mm, Betriebstemperatur max.

ROHM SMD Schottky Diode, 25V / 700mA, 3-Pin SOT-323, Diodenkonfiguration: Einfach, Gleichrichter-Typ: Schottky-Diode, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: RB461FMFHT106.